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浏览/检索结果: 共243条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Solid supported ruthenium catalyst for growing single-walled carbon nanotubes with narrow chirality distribution 期刊论文  OAI收割 CARBON, 2022, 卷号: 193, 页码: 35-41 作者:  Zhang, Xueting;  Qian, Liu;  Yao, Xiaojing;  Zhang, Lili;  Wu, Qianru   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2022/07/14 Single-walled carbon nanotubes  Ruthenium catalyst  Selective growth  Chemical vapor deposition   Catalyst-Free Growth of Atomically Thin Bi2O2Se Nanoribbons for High-Performance Electronics and Optoelectronics 期刊论文  OAI收割 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, 页码: 7 作者:  Khan, Usman;  Tang, Lei;  Ding, Baofu;  Yuting, Luo;  Feng, Simin   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2021/10/15 Bi  O-2  Se-2  catalyst‐  free growth  chemical vapor deposition  field‐  effect transistor  monolayer nanoribbons  photodetectors   Growth of Large-Area Homogeneous Monolayer Transition-Metal Disulfides via a Molten Liquid Intermediate Process 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 13174-13181 作者:  Liu, Hang;  Qi, Guopeng;  Tang, Caisheng;  Chen, Maolin;  Chen, Yang   |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2021/02/02 transition-metal dichalcogenides  chemical vapor deposition  large-area growth  molten liquid intermediate  monolayer   Growth of Large-Area Homogeneous Monolayer Transition-Metal Disulfides via a Molten Liquid Intermediate Process 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 13174-13181 作者:  Liu, Hang;  Qi, Guopeng;  Tang, Caisheng;  Chen, Maolin;  Chen, Yang   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2021/02/02 transition-metal dichalcogenides  chemical vapor deposition  large-area growth  molten liquid intermediate  monolayer   Interfaces between MoOx and MoX2 (X = S, Se, and Te) 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: - 作者:  Chen, FM;  Liu, JX;  Zheng, XM;  Liu, LH;  Xie, HP   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2021/09/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  MONOLAYER MOS2  TRANSPORT-PROPERTIES  ELECTRONIC-STRUCTURES  GRAPHENE NANORIBBONS  LARGE-AREA  NANORODS  CARBON   Barrier mechanism of nitrogen-doped graphene against atomic oxygen irradiation 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 479, 页码: 669-678 作者:  Ren, Siming;  Cui, Mingjun;  Li, Qiang;  Li, Wensheng;  Pu, Jibin   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SPACE ENVIRONMENT  MONOLAYER GRAPHENE  GRAPHITE OXIDE  BORON-NITRIDE  SCALE GROWTH  THIN-FILMS  REDUCTION  OXIDATION  COPPER   On-Demand Preparation of alpha-Phase-Dominated Tungsten Films for Highly Qualified Thermal Reflectors 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2019, 卷号: 6, 期号: 11 作者:  Wang, Xiaoyu;  Zang, Rui;  Gao, Junhua;  Liu, Chen;  Wang, Lei   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/12/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THIN-FILMS  BETA-W  MICROSTRUCTURE  GROWTH  TRANSFORMATION  SUPERLATTICES  CONVERSION  ABSORBERS  BEHAVIOR   Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10 作者:  L.Wang;  L.Chen;  S.L.Wong;  X.Huang;  W.G.Liao   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/08/24 chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics