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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 2049-2055 作者:  Guo, Jingrui;  Zhao, Ying;  Yang, Guanhua;  Chuai, Xichen;  Lu, Wenhao   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2021/06/01 Electric potential  Solid modeling  Logic gates  Integrated circuit modeling  Numerical models  Thin film transistors  Analytical models  Analytical models  independent dual gate (IDG) amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors (IDG a-IGZO TFTs)  Schroder method  surface potential  threshold compensation effect   Response spectrum 0.9-2.65 m of In0.82Ga0.18As detectors by two-step growth technique (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割 2012 International Conference on Material Sciences and Manufacturing Technology, ICMSMT 2012, October 5, 2012 - October 6, 2012, Dalian, China 作者:  Zhang T. 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2013/03/25 InP/In0.82Ga0.18As/InP heterostructure used for infrared detector were grown on (100) S-doped InP substrates using two-step growth technique by low temperature metal-organic chemical vapor deposition. The growth was performed using TMIn  TMGa  AsH3  and PH3 as growth precursors in a horizontal reactor. The substrates on a graphite susceptor were heated by inductively coupling RF power  their temperatures were detected by a thermocouple  and the reactor pressure was kept at 10000 Pa. The growth structure of detector included In0.82Ga0.18As buffer with the thickness of 100 nm  In0.82Ga0.18As absorption layer with the thickness of 2.8 m  and the InP cap with the thickness of 0.8 m. The planar type of p-i-n detector was fabricated by Zn diffusion. The properties of In0.82Ga0.18As detector were studied  the curves of the I-V characteristics  the range of response spectrum  and the detectivity (D*) were obtained. (2013) Trans Tech Publications  Switzerland.   一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料及其制备和应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201110290535.3, 申请日期: 2012-06-20, 公开日期: 2012-06-20 作者:  王毅 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2014/08/04 一种缓释型青霉素阴离子插层水滑石材料  M3+为Al3+  M2+/M3+的摩尔比为1.6～4.5  0.2≤x≤0.4。  其特征在于：所述水滑石材料化学组成通式为[M2+1?xM3+x(OH)2]x+(C16H17N2O4S?)x·nH2O  Cr3+  M2+为Mg2+  Fe3+  Zn2+  V3+  Ni2+  Co3+  Fe2+或Mn2+的二价金属离子  Ga3+或Ti3+的三价金属离子   一种缓释型苯甲酸根阴离子插层水滑石碳钢防腐蚀材料及其制备和应用 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201110041730.2, 申请日期: 2011-08-03, 公开日期: 2011-08-03 作者:  王毅 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2014/08/04 一种缓释型苯甲酸根阴离子插层水滑石碳钢防腐蚀材料  M2+/M3+的摩尔比为1.6～4.5  0.2≤x≤0.4。  其特征在于：所述防腐蚀材料化学组成通式为[M2+1?xM3+x(OH)2]x+(C6H5COO?)x·nH2O  M2+代表二价金属离子Mg2+  Zn2+  Ni2+  Fe2+  Mn2+中的任何一种  M3+代表三价金属离子Al3+  Cr3+  Fe3+  V3+  Co3+  Ga3+  Ti3+中的任何一种   A Green's function model for ferromagnetism and spin excitations of (Ga, Mn)As diluted magnetic semiconductors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 5047 Liu, GB; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES  TRANSPORT-PROPERTIES  EXCHANGE INTERACTION  CURIE-TEMPERATURE  1ST PRINCIPLES  (GA  MN  ZN1-XCRXTE  GAMNAS  FILMS  MN)AS   Cation distribution in Zn(Ga,Fe)(2)O-4 solid solutions with spinel structure 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2008, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 190-194 作者:  Wang Jing;  Dent Tong;  Yang Cai-Qin;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/10/08 R factors  Zn(Ga  spinel structure  Fe)(2)O-4   Zn（Ga，Fe）2O4固溶体尖晶石结构中阳离子分布研究 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2008, 卷号: 000, 期号: 1.0, 页码: 190 作者:  王静;  邓彤;  杨彩琴;  王伟   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/03/29 R因子  Zn（Ga,Fe）2O4,尖晶石结构