机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 1999 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 P-type co-doping study of gan by photoluminescence 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371 作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Kong, MY;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 P-type co-doping  Photoluminescence  Acceptor ionization energy   p-type co-doping study of GaN by photoluminescence 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 p-type co-doping  photoluminescence  acceptor ionization energy  IMPLANTED GAN  TRANSITIONS  ENERGY  GALLIUM NITRIDE