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机构
金属研究所 [3]
物理研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2004 [1]
2003 [2]
1997 [1]
1995 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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Direct observation of electron-beam-induced nucleation and growth in amorphous GaAs
期刊论文
OAI收割
Materials Science in Semiconductor Processing, 2004, 卷号: 7, 期号: 1-2, 页码: 19-25
Z. C. Li
;
H. Zhang
;
Y. B. Xu
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/04/14
amorphous GaAs
electron beam irradiation
crystallization
electron
microscopy
induced epitaxial regrowth
silicon
crystallization
ge
irradiation
kinetics
si
amorphization
cazrti2o7
damage
Electron-beam induced nucleation and growth in amorphous GaAs
期刊论文
OAI收割
ACTA METALLURGICA SINICA, 2003, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 13-16
作者:
Li, ZC
;
Liu, L
;
He, LL
;
Xu, YB
|
收藏
|
浏览/下载:19/0
|
提交时间:2021/02/02
amorphous GaAs
electron-beam irradiation
crystallization
in situ observation
Electron-beam induced nucleation and growth in amorphous GaAs
期刊论文
OAI收割
ACTA METALLURGICA SINICA, 2003, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 13-16
作者:
Li, ZC
;
Liu, L
;
He, LL
;
Xu, YB
|
收藏
|
浏览/下载:9/0
|
提交时间:2021/02/02
amorphous GaAs
electron-beam irradiation
crystallization
in situ observation
Effect of thermal annealing on the microstructure of ytterbium-implanted silicon wafers
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1997, 卷号: 32, 期号: 24, 页码: 6665
Yang, Y
;
Chen, H
;
Zhou, YQ
;
Li, FH
收藏
|
浏览/下载:20/0
|
提交时间:2013/09/17
AMORPHOUS-SILICON
CRYSTAL SILICON
ERBIUM
INSULATOR
EPITAXY
GAAS
INP
PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM STUDY OF THE GAAS/SI EPILAYER GROWN BY USING A THIN AMORPHOUS SI FILM AS BUFFER LAYER
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 7b, 页码: l900-l902
HAO MS
;
LIANG JW
;
ZHENG LX
;
DENG LS
;
XIAO ZB
;
HU XW
收藏
|
浏览/下载:34/0
|
提交时间:2010/11/17
GAAS/SI
PHOTOLUMINESCENCE
AMORPHOUS SI
SIMS
HALL MEASUREMENT
DOUBLE CRYSTAL X-RAY
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ON-SI
MOCVD
TEMPERATURE
MECHANISM
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