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Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers 期刊论文  OAI收割
INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050
作者:  Ren, Shengdong;  Li, Bincheng;  Wang, Qian
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/09/21
Combined frequency- and time-domain photocarrier radiometry characterization of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5
作者:  Ren Sheng-Dong;  Li Bin-Cheng;  Gao Li-Feng;  Wang Qian
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/04/17