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近代物理研究所 [2]
新疆理化技术研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2019 [2]
2013 [1]
学科主题
Physics [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs
期刊论文
OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7
作者:
Ji, Qinggang
;
Liu, Jie
;
Li, Dongqing
;
Liu, Tianqi
;
Ye, Bing
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提交时间:2019/11/10
Ferroelectric random access memory
Total ionizing dose
Single event effect
TCAD simulation
serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: -
作者:
Zhang Xing-Yao
;
Guo Qi
;
Lu Wu
;
Zhang Xiao-Fu
;
Zheng Qi-Wen
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2013/11/07
ferroelectric random memory
ionizing radiation effects
annealing characteristics