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Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文  OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7
作者:  
Ji, Qinggang;  Liu, Jie;  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Ye, Bing
  |  收藏  |  浏览/下载:63/0  |  提交时间:2019/11/10
serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics 期刊论文  OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: -
作者:  
Zhang Xing-Yao;  Guo Qi;  Lu Wu;  Zhang Xiao-Fu;  Zheng Qi-Wen
收藏  |  浏览/下载:36/0  |  提交时间:2013/11/07