机构

• 物理研究所 [2]
• 福建物质结构研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [1]
• 2004 [1]
• 2001 [1]
• 1995 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Structural and optical properties of GaInP grown on germanium by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 12 W. He, S. L. Lu, J. R. Dong, Y. M. Zhao, X. Y. Ren, K. L. Xiong, B. Li, H. Yang, H. M. Zhu, X. Y. Chen and X. Kong 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/11/02 solar-cells  phase epitaxy  gaas/ge heterostructures  temperature-dependence  ga0.5in0.5p  photoluminescence  ga0.52in0.48p  disorder  movpe   Optical properties of highly disordered InGaP by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 14 Shang, XZ; Guo, LW; Wu, SD; Niu, PJ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE  GAINP  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  GA0.52IN0.48P  DEPENDENCE  ENERGY  GROWTH   X-ray study of antiphase boundaries in the quadruple-period ordered GaAs0.87Sb0.13 alloy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 2, 页码: 644 Zhong, ZY; Holy, V; Li, JH; Kulik, J; Bai, J; Golding, TD; Moss, SC 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/23 LONG-RANGE ORDER  GA0.52IN0.48P ALLOYS  GAINP  MICROSTRUCTURE  EPITAXY  PHASE   PHOTOLUMINESCENCE OF ORDERED GA0.5IN0.5P GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1995, 卷号: 67, 期号: 11, 页码: 1573-1575 DONG JR; WANG ZG; LIU XL; LU DC; WANG D; WANG XH 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 DEPOSITION  RECOMBINATION  GA0.52IN0.48P  SPECTROSCOPY  TEMPERATURE  EXCITATION  SPECTRUM  GAINP