机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 力学研究所 [1]
• 福建物质结构研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [2]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2000 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 流体力学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals 期刊论文  OAI收割 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73 作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Jiang YN(姜燕妮);  Li W(李炜);  Chen, QS 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2013/01/18 GaN crystal  Baffle opening  Ammonothermal growth  Mass transfer  Gallium Nitride  Supercritical Ammonia  Single-Crystals  Transport  Seed   Synthesis and Characterization of Nanocrystalline GaN by Ammonothermal Method Using CsNH2 as Mineralizer 期刊论文  OAI收割 Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 5741-5745 W. W. Lin, J. Huang, D. G. Chen, Z. Lin, W. Li, J. K. Huang and F. Huang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/02 Ammonothermal  GaN  Mineralizer  Nanocrystals  CsNH2  gallium nitride  doped gan  crystal-growth  quantum dots  temperature  route  (ga(nh)(3/2))(n)  ferromagnetism  nanoparticles  conversion   X-ray photoelectron spectroscopy study on GaN crystal irradiated by slow highly charged ions 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 4584-4590 作者:  Han Lu-Hui;  Zhang Chong-Hong;  Zhang Li-Qing;  Sun You-Mei;  Song Yin   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/04/20 gallium nitride (GaN) crystal  highly-charged heavy ions  X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)   Growth of GaN single crystals by Ca(3)N(2) flux 期刊论文  OAI收割 Scripta Materialia, 2008, 卷号: 58, 期号: 4, 页码: 319-322 G. Wang; W. X. Yuan; J. K. Jian; H. Q. Bao; J. F. Wang; X. L. Chen; J. K. Liang 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/04/13 CALPHAD  single crystal growth  nitride  vapor-phase epitaxy  iii-v nitrides  bulk gan  thermodynamic assessment  na flux  pressure  gallium  system  mechanism  devices   Subsolidus phase relations of the Cu-Ga-N system 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2007, 卷号: 438, 期号: 1-2, 页码: 158-164 Y. Zhang; J. B. Li; J. K. Liang; Q. Zhang; B. J. Sun; Y. G. Xiao; G. H. Rao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/04/13 X-ray diffraction  phase diagram  semiconductors  nitride materials  crystal-structure  lattice spacings  copper-gallium  bulk gan  alloys  growth  silver  cr  diffraction  equilibria   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS