机构

• 物理研究所 [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2004 [1]
• 1997 [1]
• 1991 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Direct observation of electron-beam-induced nucleation and growth in amorphous GaAs 期刊论文  OAI收割 Materials Science in Semiconductor Processing, 2004, 卷号: 7, 期号: 1-2, 页码: 19-25 Z. C. Li; H. Zhang; Y. B. Xu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/14 amorphous GaAs  electron beam irradiation  crystallization  electron  microscopy  induced epitaxial regrowth  silicon  crystallization  ge  irradiation  kinetics  si  amorphization  cazrti2o7  damage   Low energy electron-beam-induced recrystallization of continuous GaAs amorphous foils 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 1997, 卷号: 49, 期号: 1, 页码: 5 Yang, XX; Wang, RH; Yan, HP; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/18 INDUCED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION  SOLID-PHASE EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  ION IRRADIATION  SILICON  REGROWTH  SI  SEMICONDUCTORS  AMORPHIZATION  MICROSCOPE   HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY ANALYSIS OF ION-BEAM INDUCED ANNEALING OF MEV AS+ ION-IMPLANTED SILICON 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1991, 卷号: 59, 页码: 434 ZHANG, BX; WANG, ZL; QI, L; ZHANG, PJ; ZHENG, JG; WANG, LC; DU, AY 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 INDUCED EPITAXIAL REGROWTH  AMORPHOUS-SILICON  RECRYSTALLIZATION  SI  DAMAGE  LAYERS