机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2003 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influences of reactor pressure of gan buffer layers on morphological evolution of gan grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Shen, XM 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 In situ laser reflectometry  Lateral overgrowths  Surface morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：301/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE