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• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
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内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2015 [1]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  gate dielectric  low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)  silicon nitride   Study of photoluminescence spectra of si-rich sinx films 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2004, 卷号: 58, 期号: 19, 页码: 2397-2400 作者:  Liu, YZ;  Zhou, YQ;  Shi, WQ;  Zhao, LL;  Sun, BY 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/10 Photolumineseence  Rapid thermal annealing (rta)  Low pressure chemical vapor deposition (lpcvd)  Silicon nitride  Thin films  Optical materials and properties