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• 数学与系统科学研究院 [1]
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• 2022 [1]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Preparation and photoelectric characterization of p-GeSe/p-WS2 heterojunction devices 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 卷号: 55, 期号: 32, 页码: 9 作者:  Yan, Bing;  Zhang, Guoxin;  Ning, Bo;  Chen, Sikai;  Zhao, Yang   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2022/08/22 van der Waals heterojunction  p-p type junction  GeSe/WS2  optoelectronic properties   Quasineutral limit of a time-dependent drift-diffusion-Poisson model for p-n junction semiconductor devices 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF DIFFERENTIAL EQUATIONS, 2006, 卷号: 225, 期号: 2, 页码: 411-439 作者:  Hsiao, L;  Wang, S   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/30 quasineutral limit  time-dependent drift-diffusion equations  p-n junction  multiple scaling asymptotic expansions  gimel-weighted Liapunov-type functional