机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2000 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth and characterization of strained superlattices delta-ganxas1-x/gaas by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Lin, YW;  Zhou, ZQ;  Zhang, W 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Ganas/gaas superlattice  X-ray diffraction  Periodicity fluctuation  Mbe  Rheed   Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 Pan Z; Li LH; Lin YW; Zhou ZQ; Zhang W; Wang YT; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs/GaAs superlattice  X-ray diffraction  periodicity fluctuation  MBE  RHEED  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  ALLOYS  DIFFRACTION  COEFFICIENT  SOLUBILITY  OPERATION  GAAS1-XNX  GAASN