机构

• 半导体研究所 [3]
• 长春光学精密机械与物... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2018 [1]
• 2007 [1]
• 2000 [1]
• 1993 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Transparency Engineering in Quantum Dot-Based Memories 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 13, 页码: 7 作者:  Arikan, I. F.;  Cottet, N.;  Nowozin, T.;  Bimberg, D.   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/09/17 band engineering  memory  quantum dots  resonant tunnel  resonant-tunneling current  dependence  Materials Science  Physics   Greatly enhanced resonant tunneling of photo-excited holes in a three-barrier resonant tunneling structure 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2007, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 81-84 作者:  Zhu Hui;  Zheng Hou-Zhi;  Li Gui-Rong;  Tan Ping-Heng;  Gan Hua-Dong 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Photo-excitation  Holes  Resonant tunneling  Peak-to-valley current ratio (pvcr)   Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY   ELECTRON-TRANSPORT THROUGH GAALAS BARRIERS IN GAAS 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 1, 页码: 341-345 FENG SL; KRYNICKI J; ZAZOUI M; BOURGOIN JC; BOIS P; ROSENCHER E 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/11/15 RESONANT TUNNELING DIODES  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  QUANTUM-WELLS  ALGAAS GAAS  SUPERLATTICES  LAYERS