机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Optical properties of self-assembled inas/inalas/inp quantum wires with different inas deposited thickness 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Wang, YL;  Huang, XQ;  Zhao, C 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Defects  Lateral composition modulation  Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum wires  Semiconductor iii-v material   Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)   Thermal annealing effect on inas/ingaas quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Shi, GX;  Jin, P;  Xu, B;  Li, CM;  Cui, CX 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Semiconductor iii-v material  Laser device