机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 1997 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Gamma critical point 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 10, 页码: 100301, 100301 作者:  Wang, LG;  Shen, C;  Zheng, HZ;  Zhu, H;  Zhao, JH   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 charged acceptor centre  screening effect  exchange interaction  SHALLOW ACCEPTOR STATES  GALLIUM-ARSENIDE  SEMICONDUCTORS  FIELD  Charged Acceptor Centre  Screening Effect  Exchange Interaction  Shallow Acceptor States  Gallium-arsenide  Semiconductors  Field   Donor acceptor pair in molecular beam epitaxy grown GaN 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1997, 卷号: 43, 期号: 0, 页码: 242-245 Ren GB; Dewsnip DJ; Lacklison DE; Orton JW; Cheng TS; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/17 donor acceptor pair  GaN  molecular beam epitaxy  photoluminescence  shallow acceptor  GAAS  LUMINESCENCE  CD