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• 2012 [1]
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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702 Hu, ZY; Liu, ZL; Shao, H; Zhang, ZX; Ning, BX; Bi, DW; Chen, M; Zou, SC 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/04/17 total ionizing dose  shallow trench isolation  oxide trapped charge  metal-oxide-semiconductor field effect transistor   Novel STI scheme and layout design to suppress the kink effect in LDMOS transistors 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 75025-75025 Wang, L; Wang, J; Li, R; Lee, P; Hu, J; Qu, W; Li, WJ; Yang, S 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 SHALLOW TRENCH ISOLATION  NARROW  MOSFETS  OXIDE