机构

• 金属研究所 [1]
• 微电子研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2012 [1]
• 2005 [1]
• 1997 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low-temperature (120 degrees C) growth of nanocrystalline silicon films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition from SiCl4/H-2 gases: Microstructure characterization 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2012, 卷号: 258, 期号: 7, 页码: 3221-3226 L. Zhang; J. H. Gao; J. Q. Xiao; L. S. Wen; J. Gong; C. Sun 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/02/05 Nanocrystalline silicon  PECVD  Microstructure  Raman spectra  hydrogenated amorphous-silicon  thin-films  raman-spectroscopy  solar-cells  mechanism  sih2cl2   用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究 期刊论文  OAI收割 电子工业专用设备, 2005, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 3，28-30 作者:  廖勇明;  董立军;  韩敬东;  陈大鹏;  叶甜春   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/05/26 Mems  Sih2cl2  多晶硅薄膜 Xrd  薄膜应力   Kinetics and transport model for the chemical vapor epitaxy of GexSi1-x 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 172, 期号: 0, 页码: 381-388 Jin XJ; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/17 ATMOSPHERIC-PRESSURE  DEPOSITION  GROWTH  SIH2CL2  LAYERS  SI