机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2003 [2]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99 Kong YC; Zhou DY; Lan Q; Liu JL; Miao ZH; Feng SL; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  electroluminescence  state filling effect  OPTICAL-PROPERTIES  WAVELENGTH  EMISSION  LASER  GAAS  DEPENDENCE  LAYER   A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting inas/gaas quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99 作者:  Kong, YC;  Zhou, DY;  Lan, Q;  Liu, JL;  Miao, ZH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Electroluminescence  State filling effect