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金属研究所 [2]
近代物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2021 [1]
2020 [1]
2014 [1]
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共3条,第1-3条
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Doping Concentration Modulation in Vanadium-Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors
期刊论文
OAI收割
ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 7340-7347
作者:
Zou, Jingyun
;
Cai, Zhengyang
;
Lai, Yongjue
;
Tan, Junyang
;
Zhang, Rongjie
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提交时间:2021/10/15
2D materials
molybdenum disulfide
MoS2
vanadium
substitutional doping
synaptic transistor
Molten-Salt-Assisted Chemical Vapor Deposition Process for Substitutional Doping of Monolayer MoS(2)and Effectively Altering the Electronic Structure and Phononic Properties
期刊论文
OAI收割
ADVANCED SCIENCE, 2020, 页码: 9
作者:
Li, Wei
;
Huang, Jianqi
;
Han, Bo
;
Xie, Chunyu
;
Huang, Xiaoxiao
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提交时间:2021/02/02
2D
molten-salt-assisted chemical vapor deposition
molybdenum disulfide
substitutional doping
Site-selective substitutional doping with atomic precision on stepped Al (111) surface by single-atom manipulation
期刊论文
OAI收割
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2014, 卷号: 9
作者:
Chen, Chang
;
Zhang, Jinhu
;
Dong, Guofeng
;
Shao, Hezhu
;
Ning, Bo-yuan
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提交时间:2018/07/05
Single-atom Doping
Substitutional
Single-atom Manipulation
Atomic Precision
Metal Surface