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• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
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采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2013 [1]
• 2002 [1]

学科主题

• Physics, A... [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 0.6-eV bandgap In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices with compositionally undulating step-graded InAsyP(1-y)buffers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 2 作者:  Lu, SL(陆书龙);  Zhao, YM(赵勇明);  Dong, JR(董建荣);  Ji, L(季莲) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/01/08 In0.69Ga0.39As  thermophotovoltaic devices  thermophotovoltaic devices   Sulphur passivation of the InGaAsSb/GaSb photodiodes 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 7, 页码: 1303-1305 Wu, BH; Xia, GQ; Li, ZH; Zhou, J 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 THERMOPHOTOVOLTAIC DEVICES  GAAS-SURFACES  PERFORMANCE  DETECTIVITY