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  • iSwitch采集 [6]
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  • 2005 [6]
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Lateral phase separation in algan grown on gan with a high-temperature ain interlayer 期刊论文  iSwitch采集
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: 3
作者:  Sun, Q;  Huang, Y
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Study on the growth, modification and thermal properties of gamma-lialo2 single crystals 期刊论文  iSwitch采集
Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4269-4272
作者:  Zou, J;  Zhang, LH;  Zhou, SM;  Xu, J;  Han, P
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The effect of the alxga1-xn/ain buffer layer on the properties of gan/si(111) film grown by nh3-mbe 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 280, 期号: 3-4, 页码: 346-351
作者:  Zhang, NH;  Wang, XL;  Zeng, YP;  Xiao, HL;  Wang, JX
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Growth and properties of gan on si (111) substrates with algan/aln buffer layer by nh3-gsmbe 期刊论文  iSwitch采集
Journal of physics d-applied physics, 2005, 卷号: 38, 期号: 12, 页码: 1888-1891
作者:  Zhang, NH;  Wang, XL;  Zeng, YP;  Xiao, HL;  Wang, JX
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Crack-free gan/si(111) epitaxial layers grown with inalgan alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Li, DB;  Lu, Y
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Effect of y2o3-al2o3 ratio on inter-granular phases and films in tape-casting alpha-sic with high toughness 期刊论文  iSwitch采集
Acta materialia, 2005, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2521-2529
作者:  Huang, R;  Gu, H;  Zhang, JX;  Jiang, DL
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