机构

• 西安光学精密机械研究... [7]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [7]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1986 [8]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：1986     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Method for liquid-phase growth 专利  OAI收割 专利号: JP1986181124A, 申请日期: 1986-08-13, 公开日期: 1986-08-13 作者:  SHINOHARA YASUO   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 Bi-stable semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986150293A, 申请日期: 1986-07-08, 公开日期: 1986-07-08 作者:  TERAKADO TOMOJI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986144894A, 申请日期: 1986-07-02, 公开日期: 1986-07-02 作者:  MAMINE TAKAYOSHI;  ODA TATSUJI;  YONEYAMA OSAMU   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986141190A, 申请日期: 1986-06-28, 公开日期: 1986-06-28 作者:  SAGARA MINORU   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 Laser diode with uniform mechanical stress and/or heat dissipation 专利  OAI收割 专利号: US4589116, 申请日期: 1986-05-13, 公开日期: 1986-05-13 作者:  WESTERMEIER, HEINZ   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 - 专利  OAI收割 专利号: JP1986015600B2, 申请日期: 1986-04-24, 公开日期: 1986-04-24 作者:  SAKUMA ISAMU   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割 专利号: JP1986067288A, 申请日期: 1986-04-07, 公开日期: 1986-04-07 作者:  TAKENAKA NAOKI;  OSHIMA MASAAKI;  MATSUKI MICHIO;  HIRAYAMA NORIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 位敏电离室测X光强分布 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 1986, 期号: 4, 页码: 212-215+198 作者:  唐鄂生;  崔明启;  王艳菊 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/12/25 X光  均匀性  位置灵敏电离室  多路扫描