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采集方式

• OAI收割 [1236]

内容类型

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发表日期

• 2010 [1236]

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浏览/检索结果: 共1236条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：2010     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of InGaN/GaN/InGaN Multi-Layer Barrier in GaN-based Light Emitting Diode 会议论文  OAI收割 0, 2011-09-05 作者:  Chen LW(陈立武);  Chunyan Xu;  Yang Sheng   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/10/25 Effects of absorption layer characteristic on spectral photoresponse of mid-wavelength InSb photodiodes 会议论文  OAI收割 0, 2011-09-05 作者:  Hu WD(胡伟达);  Chen XS(陈效双);  Ye ZH(叶振华)   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2012/10/25 Bionic Nanocomposite Actuator Based on Carbon Nanotube and Ionic Biopolymer 会议论文  OAI收割 3rd IEEE International Nanoelectronics Conference, 香港, 2010 作者:  Chen W (陈韦) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/12/30 Near-field light generating device that includes near-field light generating element accommodated in a groove of an encasing layer 专利  OAI收割 专利号: US20100328806A1, 申请日期: 2010-12-30, 公开日期: 2010-12-30 作者:  SASAKI, YOSHITAKA;  ITO, HIROYUKI;  TANEMURA, SHIGEKI;  ARAKI, HIRONORI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/30 Near-field light generating device that includes near-field light generating element accommodated in a groove of an encasing layer 专利  OAI收割 专利号: US20100328806A1, 申请日期: 2010-12-30, 公开日期: 2010-12-30 作者:  SASAKI, YOSHITAKA;  ITO, HIROYUKI;  TANEMURA, SHIGEKI;  ARAKI, HIRONORI   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 Metal-assisted DBRs for thermal management in VCSELs 专利  OAI收割 专利号: US7860143, 申请日期: 2010-12-28, 公开日期: 2010-12-28 作者:  KIM, JIN K.;  WANG, TZU-YU;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor device, its manufacture method and template substrate 专利  OAI收割 专利号: US7858436, 申请日期: 2010-12-28, 公开日期: 2010-12-28 作者:  KATO, HIROYUKI;  SANO, MICHIHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 Integrated semiconductor light-emitting device and its manufacturing method 专利  OAI收割 专利号: US20100320488A1, 申请日期: 2010-12-23, 公开日期: 2010-12-23 作者:  HORIE, HIDEYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 Semiconductor light emitting devices with non-epitaxial upper cladding 专利  OAI收割 专利号: US7856040, 申请日期: 2010-12-21, 公开日期: 2010-12-21 作者:  BOUR, DAVID P.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  YANG, ZHIHONG   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Weak Epitaxy Growth of Phthalocyanine on 2,5-Bis(4-1,1 ':4 ',1 ''-terphenyl)-thiophene and the Effect of Phase State of Inducing Layer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, 2010, 卷号: 114, 期号: 49, 页码: 16408-16413 作者:  Wang, Tong;  Huang, Lizhen;  Yang, Junliang;  Tian, Hongkun;  Geng, Yanhou   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/09