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西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
1982 [8]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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发表日期:1982
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LASER A SEMI-CONDUCTEUR A COURTE LONGUEUR D'ONDE
专利
OAI收割
专利号: FR2508244A1, 申请日期: 1982-12-24, 公开日期: 1982-12-24
作者:
MARIE, ANTOINETTE, DI, FORTE-POISSON, JEAN-PIERRE, HIRTZ
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提交时间:2019/12/31
LASER A SEMI-CONDUCTEUR A COURTE LONGUEUR D'ONDE
专利
OAI收割
专利号: FR2508244A1, 申请日期: 1982-12-24, 公开日期: 1982-12-24
作者:
MARIE, ANTOINETTE, DI, FORTE-POISSON, JEAN-PIERRE, HIRTZ
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提交时间:2019/12/31
High output power laser
专利
OAI收割
专利号: CA1137605A, 申请日期: 1982-12-14, 公开日期: 1982-12-14
作者:
SCIFRES DONALD R.
;
BURNHAM ROBERT D.
;
STREIFER WILLIAM
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1982172789A, 申请日期: 1982-10-23, 公开日期: 1982-10-23
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
MURATA KAZUHISA
;
HAYASHI HIROSHI
;
TAKENAKA TAKUO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser diode and method of making the same
专利
OAI收割
专利号: US4355396, 申请日期: 1982-10-19, 公开日期: 1982-10-19
作者:
HAWRYLO, FRANK Z.
;
OLSEN, GREGORY H.
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提交时间:2019/12/24
Single filament semiconductor laser with large emitting area
专利
OAI收割
专利号: US4347486, 申请日期: 1982-08-31, 公开日期: 1982-08-31
作者:
BOTEZ, DAN
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0044571A2, 申请日期: 1982-01-27, 公开日期: 1982-01-27
作者:
YAMASHITA, SHIGEO
;
MATSUDA, HIROSHI
;
KOBAYASHI, UICHIRO
;
KOBAYASHI, MASAYOSHI
;
NAKASHIMA, HISAO
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提交时间:2020/01/13
Transverse light emitting electroluminescent devices
专利
OAI收割
专利号: US4309670, 申请日期: 1982-01-05, 公开日期: 1982-01-05
作者:
BURNHAM, ROBERT D.
;
SCIFRES, DONALD R.
;
STREIFER, WILLIAM
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提交时间:2019/12/24