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  • 1986 [34]
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Manufacture of light-emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1986290790A, 申请日期: 1986-12-20, 公开日期: 1986-12-20
作者:  NAKAJIMA KAZUO
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Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986267387A, 申请日期: 1986-11-26, 公开日期: 1986-11-26
作者:  YAMAGUCHI MASAYUKI
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986265888A, 申请日期: 1986-11-25, 公开日期: 1986-11-25
作者:  YAMAGUCHI MASAYUKI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986248488A, 申请日期: 1986-11-05, 公开日期: 1986-11-05
作者:  NAKATSUKA SHINICHI;  ONO YUICHI;  KAJIMURA TAKASHI
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13
Catenated phosphorus material 专利  OAI收割
专利号: GB2113663B, 申请日期: 1986-10-29, 公开日期: 1986-10-29
作者:  MARK, ALLEN, KUCK;  CHRISTIAN, GABRIEL, MICHEL;  ROZALIE, SCHACHTER;  JOHN, ANDREW, BAUMANN;  PAUL, MORDECAI, RACCAH
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986171188A, 申请日期: 1986-08-01, 公开日期: 1986-08-01
作者:  NAKATSUKA SHINICHI;  KAYANE NAOKI;  ONO YUICHI;  KAJIMURA TAKASHI;  KONO TOSHIHIRO
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986171187A, 申请日期: 1986-08-01, 公开日期: 1986-08-01
作者:  TSUJI SHINJI;  INOUE HIROAKI
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Semiconductor laser and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1986166192A, 申请日期: 1986-07-26, 公开日期: 1986-07-26
作者:  ONAKA SEIJI;  SASAI YOICHI;  SHIBATA ATSUSHI
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Semiconductor laser array device 专利  OAI收割
专利号: JP1986159788A, 申请日期: 1986-07-19, 公开日期: 1986-07-19
作者:  KUME MASAHIRO;  ITO KUNIO;  SHIMIZU YUICHI;  WADA MASARU
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Cr3+离子光谱项及其在红宝石中的劈裂的计算 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 1986
陆晓佳
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