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OAI收割 [115]
内容类型
专利 [98]
期刊论文 [17]
发表日期
1989 [115]
学科主题
Astronomy ... [2]
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空间环境 [2]
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共115条,第1-10条
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发表日期:1989
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Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US4888782, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:
KAKIMOTO, SYOICHI
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提交时间:2020/01/13
Variable wavelength transducer
专利
OAI收割
专利号: JP1989312881A, 申请日期: 1989-12-18, 公开日期: 1989-12-18
作者:
NUMAI TAKAAKI
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of surface luminescence laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989302790A, 申请日期: 1989-12-06, 公开日期: 1989-12-06
作者:
NAGAI YUTAKA
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989300583A, 申请日期: 1989-12-05, 公开日期: 1989-12-05
作者:
KOMAZAKI IWAO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989300582A, 申请日期: 1989-12-05, 公开日期: 1989-12-05
作者:
KAWADA SEIJI
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提交时间:2020/01/13
Quantum well heterostructure lasers with low current density threshold and higher TO values
专利
OAI收割
专利号: US4882734, 申请日期: 1989-11-21, 公开日期: 1989-11-21
作者:
SCIFRES, DONALD R.
;
BURNHAM, ROBERT D.
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor device and method of selective insulation of semiconductor device having superlattice structure
专利
OAI收割
专利号: JP1989289181A, 申请日期: 1989-11-21, 公开日期: 1989-11-21
作者:
MISHIMA TOMOYOSHI
;
UCHIDA YOKO
;
TAGAMI TOMONORI
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提交时间:2019/12/31
Optical waveguide integrated semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1989287981A, 申请日期: 1989-11-20, 公开日期: 1989-11-20
作者:
IWANO HIDEAKI
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提交时间:2020/01/18
Array-type semiconductor laser device and drive thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1989283983A, 申请日期: 1989-11-15, 公开日期: 1989-11-15
作者:
KATAYAMA RYUICHI
;
ISHIKAWA MAKOTO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989281787A, 申请日期: 1989-11-13, 公开日期: 1989-11-13
作者:
NAGAI SEIICHI
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提交时间:2020/01/13