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  • 1989 [115]
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Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: US4888782, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:  
KAKIMOTO, SYOICHI
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Variable wavelength transducer 专利  OAI收割
专利号: JP1989312881A, 申请日期: 1989-12-18, 公开日期: 1989-12-18
作者:  
NUMAI TAKAAKI
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Manufacture of surface luminescence laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989302790A, 申请日期: 1989-12-06, 公开日期: 1989-12-06
作者:  
NAGAI YUTAKA
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/31
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989300583A, 申请日期: 1989-12-05, 公开日期: 1989-12-05
作者:  
KOMAZAKI IWAO
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989300582A, 申请日期: 1989-12-05, 公开日期: 1989-12-05
作者:  
KAWADA SEIJI
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Quantum well heterostructure lasers with low current density threshold and higher TO values 专利  OAI收割
专利号: US4882734, 申请日期: 1989-11-21, 公开日期: 1989-11-21
作者:  
SCIFRES, DONALD R.;  BURNHAM, ROBERT D.
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/24
Semiconductor device and method of selective insulation of semiconductor device having superlattice structure 专利  OAI收割
专利号: JP1989289181A, 申请日期: 1989-11-21, 公开日期: 1989-11-21
作者:  
MISHIMA TOMOYOSHI;  UCHIDA YOKO;  TAGAMI TOMONORI
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31
Optical waveguide integrated semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1989287981A, 申请日期: 1989-11-20, 公开日期: 1989-11-20
作者:  
IWANO HIDEAKI
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Array-type semiconductor laser device and drive thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1989283983A, 申请日期: 1989-11-15, 公开日期: 1989-11-15
作者:  
KATAYAMA RYUICHI;  ISHIKAWA MAKOTO
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1989281787A, 申请日期: 1989-11-13, 公开日期: 1989-11-13
作者:  
NAGAI SEIICHI
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