机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 1998 [3]

学科主题

• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1998    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文  OAI收割 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文  OAI收割 14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRICAL-PROPERTIES  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS   Hydrogen-decorated lattice defects in proton implanted GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 14, 页码: 1703-1705 Weinstein MG; Song CY; Stavola M; Pearton SJ; Wilson RG; Shul RJ; Killeen KP; Ludowise MJ 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 AS-H BONDS  COMPLEXES  INP  GAAS