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• 物理研究所 [5]

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• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2000 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Which phase contributes to the normal-state gap structure in underdoped cuprates? 期刊论文  OAI收割 PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS, 2000, 卷号: 341, 页码: 933 Lu, L; Zhao, YM; Zhao, YG; Jing, XN; Li, SL; Xiong, JW; Zhang, DL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/23 SUPERCONDUCTIVITY   Growth and Si-doping of GaN on GaAs(001) by MBE 期刊论文  OAI收割 FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2000, 卷号: 4086, 页码: 306 Huang, Q; Chen, H; Li, ZQ; Liu, HF; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DOPED GAN  POTENTIAL FLUCTUATION  CUBIC-GAN  ZINCBLENDE   Highly conductive Nb doped SrTiO3 epitaxial thin films grown by laser molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 451 Zhao, T; Lu, HB; Chen, F; Dai, SY; Yang, GZ; Chen, ZH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 DIELECTRIC-PROPERTIES  DEPOSITION  ABLATION  BATIO3   Influence of Si doping on optical characteristics of cubic GaN grown on (001) GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 76, 期号: 25, 页码: 3765 Li, ZQ; Chen, H; Liu, HF; Wan, L; Zhang, MH; Huang, Q; Zhou, JM; Yang, N; Tao, K; Han, YJ; Luo, Y 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  DOPED GAN  POTENTIAL FLUCTUATION  SEMICONDUCTORS   Epitaxial growth and characterization of oxide thin films 期刊论文  OAI收割 FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2000, 卷号: 4086, 页码: 382 Yang, GZ; Lu, HB; Zhao, T; Chen, F; Chen, ZH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BATIO3/SRTIO3 SUPERLATTICES  UNIT-CELL  SRTIO3