机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2001 [12]

学科主题

• 半导体物理 [12]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080 nm 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 18, 页码: 2868-2870 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：215/69  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE   Effect of growth temperature on luminescence and structure of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 2048-2050 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：100/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LASER-DIODES  PHOTOLUMINESCENCE  THRESHOLD  EMISSION   Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：104/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAASN  LASER  OPERATION  ALLOYS  GROWTH  GAAS   Effects of rapid thermal annealing and SiO2 encapsulation on GaNAs/GaAs single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  OPTICAL-PROPERTIES  BAND-GAP  SUPERLATTICES  LASERS  GAAS   Growth and characterization of InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1831-1835 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：88/11  |  提交时间：2010/08/12 quantum cascade laser  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MU-M   Properties and turning of intraband optical absorption in InxGa1-xAs/GaAs self-assembled quantum dot superlattice 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2001, 卷号: 15, 期号: 13, 页码: 1959-1968 Liu B; Zhuang QD; Yoon SF; Dai JH; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY; Zhang HJ 收藏  |  浏览/下载：133/25  |  提交时间：2010/08/12 INFRARED PHOTODETECTORS  ELECTRONIC-STRUCTURE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  THRESHOLD  OPERATION  LASERS  WELL   Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：98/6  |  提交时间：2010/08/12 ORIENTED GAAS  INAS ISLANDS  HIGH-INDEX  SURFACES  TEMPERATURE  TOPOGRAPHY  STRAIN  LASER   High-temperature characteristics of GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661 Pan Z; Li LH; Du Y; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：69/4  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASER  OPERATION  RANGE   Unusual temperature-dependent optical properties of self-organized InAs/GaAs quantum dots at high excitation power 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 982-985 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：99/12  |  提交时间：2010/08/12 ENERGY RELAXATION  EMISSION  LASERS   Analysis of semiconductor microlasers with an equilateral triangle resonator by rate equations 期刊论文  OAI收割 ieee journal of quantum electronics, 2001, 卷号: 37, 期号: 10, 页码: 1259-1264 Huang YZ; Guo WH; Yu LJ; Lei HB 收藏  |  浏览/下载：125/3  |  提交时间：2010/08/12 finite-difference time-domain technique  microlasers  rate equations  semiconductor laser  single-mode operation  LASERS