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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2004 [6]
学科主题
半导体物理 [6]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
发表日期:2004
学科主题:半导体物理
条数/页:
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
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浏览/下载:284/63
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提交时间:2010/03/09
molecular beam epitaxy
Photoluminescence characterization of nanocrystalline ZnO array
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 2301-2304
Chang YQ
;
Yu DP
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Zhang Y
;
Chen YF
;
Yang FH
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浏览/下载:121/18
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
OAI收割
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
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浏览/下载:303/45
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提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
A density-functional study of Al-doped Ti clusters: TinAl (n=1-13)
期刊论文
OAI收割
journal of chemical physics, 2004, 卷号: 120, 期号: 9, 页码: 4251-4257
Xiang J
;
Wei SH
;
Yan XH
;
You JQ
;
Mao YL
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浏览/下载:359/126
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提交时间:2010/03/09
ELECTRONIC SHELL STRUCTURE
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
OAI收割
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
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浏览/下载:16/1
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
SiO2 encapsulation
rapid-thermal-annealing
nitrogen reorganization
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
MU-M