机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2010 [2]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electron tunneling through a planar single barrier in hgte quantum wells with inverted band structures 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 6 作者:  Zhang, L. B.;  Zhai, Feng;  Chang, Kai 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron tunneling through a planar single barrier in HgTe quantum wells with inverted band structures 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 81, 81, 期号: 23, 页码: art. no. 235323, Art. No. 235323 作者:  Zhang LB (Zhang L. B.);  Zhai F (Zhai Feng);  Chang K (Chang Kai);  Zhang, LB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.   |  收藏  |  浏览/下载：145/8  |  提交时间：2010/07/18 INSULATOR  Insulator  Surface  Phase  SURFACE  PHASE