机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2011, 2011, 卷号: 83, 83, 期号: 8, 页码: article no.81402, Article no.81402 作者:  Zhang LB;  Cheng F;  Zhai F;  Chang K;  Zhang, LB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.   |  收藏  |  浏览/下载：48/5  |  提交时间：2011/07/05 Electron tunneling through a planar single barrier in HgTe quantum wells with inverted band structures 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 81, 81, 期号: 23, 页码: art. no. 235323, Art. No. 235323 作者:  Zhang LB (Zhang L. B.);  Zhai F (Zhai Feng);  Chang K (Chang Kai);  Zhang, LB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.   |  收藏  |  浏览/下载：145/8  |  提交时间：2010/07/18 INSULATOR  Insulator  Surface  Phase  SURFACE  PHASE