中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [6]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
发表日期:2011
专题:物理研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Magnetic field-induced martensite-austenite transformation in Fe-substituted NiMnGa ribbons
期刊论文
OAI收割
SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 卷号: 65, 期号: 1, 页码: 9
Yu, SY
;
Yan, SS
;
Kang, SS
;
Tang, XD
;
Qian, JF
;
Chen, JL
;
Wu, GH
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/09/18
SHAPE-MEMORY ALLOYS
PHASE-TRANSFORMATION
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4
Lu, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Cao, ZF
;
Luan, CB
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 9
Lu, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Cao, ZF
;
Luan, CB
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/09/18
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Zhang, Y
;
Meng, LG
;
Luan, CB
;
Cao, ZF
;
Chen, H
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2013/09/24
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
INTERFACIAL LAYER
MOBILITY
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Corrigan, TD
;
Zhao, JZ
;
Cao, ZF
;
Meng, LG
;
Luan, CB
;
Wang, ZG
;
Chen, H
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/09/17
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 12
Lv, YJ
;
Lin, ZJ
;
Meng, LG
;
Yu, YX
;
Luan, CB
;
Cao, ZF
;
Chen, H
;
Sun, BQ
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/09/17