机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [2]
• 2008 [3]
• 2007 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]
• 半导体器件 [1]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 40 gbits/s all-optical clock recovery for degraded signals using an amplified feedback laser 期刊论文  iSwitch采集 Applied optics, 2010, 卷号: 49, 期号: 34, 页码: 6577-6581 作者:  Wang, Li;  Zhao, Xiaofan;  Lou, Caiyun;  Lu, Dan;  Sun, Yu 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 40 Gbits/s all-optical clock recovery for degraded signals using an amplified feedback laser 期刊论文  OAI收割 applied optics, 2010, 卷号: 49, 期号: 34, 页码: 6577-6581 Wang L (Wang Li); Zhao XF (Zhao Xiaofan); Lou CY (Lou Caiyun); Lu D (Lu Dan); Sun Y (Sun Yu); Zhao LJ (Zhao Lingjuan); Wang W (Wang Wei) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/12/27 DFB LASERS  MODULATOR   An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   AN EFFICIENT ITERATIVE DFT-BASED CHANNEL ESTIMATION FOR MIMO-OFDM SYSTEMS ON MULTIPATH CHANNELS 会议论文  OAI收割 3rd international conference on communications and networking in china, hangzhou, peoples r china, aug 25-27, 2008 Jian, HF; Shi, Y 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/09 Channel estimation  MIMO-OFDM  DFT-based  IEEE P802.11n D2.0   AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   1-mm gate periphery algan/ain/gan hemts on sic with output power of 9.39 w at 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 作者:  Wang, X. L.;  Cheng, T. S.;  Ma, Z. Y.;  Hu, Gx;  Xiao, H. L. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  Hemt  Mocvd  Power device  Sic substrates   1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN