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  • 2006 [4]
学科主题
  • 光电子学 [4]
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Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui)
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11
Effect of Al incorporation on the AlGaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 2452-2455
Zhao, DG (Zhao, D. G.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, Hui); Liang, JW (Liang, J. W.); Li, XY (Li, X. Y.); Gong, HM (Gong, H. M.)
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/29
Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101
Zhao DG (Zhao D. G.); Jiang DS (Jiang D. S.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Liang JW (Liang J. W.); Hao XP (Hao X. P.); Wei L (Wei L.); Li X (Li X.); Li XY (Li X. Y.); Gong HM (Gong H. M.)
收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/04/11
Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: art.no.112106
Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang Hui); Zhu JJ (Zhu J. J.); Jiang DS (Jiang D. S.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Wang YT (Wang Y. T.); Liang JW (Liang J. W.)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/04/11