机构

• 金属研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2010 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 5 作者:  Sun Guo-Sheng;  Liu Xing-Fang;  Wang Lei;  Zhao Wan-Shun;  Yang Ting   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02 3C-SiC  heteroepitaxial  multi-wafer  uniformity   Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 5 作者:  Sun Guo-Sheng;  Liu Xing-Fang;  Wang Lei;  Zhao Wan-Shun;  Yang Ting   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2021/02/02 3C-SiC  heteroepitaxial  multi-wafer  uniformity   Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 5 作者:  Sun Guo-Sheng;  Liu Xing-Fang;  Wang Lei;  Zhao Wan-Shun;  Yang Ting   |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2021/02/02 3C-SiC  heteroepitaxial  multi-wafer  uniformity