机构

• 高能物理研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2014 [2]

学科主题

• Chemistry [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：Chemistry    专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A novel porous substrate for the growth of high quality GaN crystals by HVPE 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 66, 页码: 35106-35111 作者:  Dai, YB;  Wu, YZ;  Zhang, L;  Shao, YL;  Tian, Y 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/04/08 Influence of V/III ratio on stress control in GaN grown on different templates by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 41, 页码: 21504-21509 作者:  Dai, YB;  Shao, YL;  Wu, YZ;  Hao, XP;  Zhang, P 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/04/08