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  • 半导体材料 [8]
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Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density 期刊论文  OAI收割
optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 8916-8922
作者:  Wang WY;  Jin P
收藏  |  浏览/下载：171/44  |  提交时间：2010/05/24
Blue-shift photoluminescence from porous InAlAs 期刊论文  OAI收割
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: art. no. 115006
Jiang YC (Jiang Y. C.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang LJ (Wang L. J.); Yin W (Yin W.); Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/12/28
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08
Low -temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-66
作者:  Wang Jun;  Wang Jun
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23
Synthesis and temperature-dependent near-band-edge emission of chain-like Mg-doped ZnO nanoparticles 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 10, 页码: art.no.101902
Peng WQ; Qu SC; Cong GW; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：625/5  |  提交时间：2010/04/11
Growth of Space Ordered on GaAs（100） Vicinal 1.3μm InAs Quantum Dots Substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2074-2079
作者:  Wang Wei;  Liang song;  Pan Jiaoqing;  Wang Wei
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23
Fiber Coupling of Laser Diode Bar to Multimode Fiber Array 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 464-467
作者:  Liu Bin
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
Cubic InGaN grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割
mrs internet journal of nitride semiconductor research, 1999, 卷号: 4, 期号: 0, 页码: art.no.g3.25
Li JB; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Wang YT
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12