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• 半导体研究所 [46]

采集方式

• OAI收割 [46]

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• 期刊论文 [37]
• 会议论文 [7]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2016 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [46]
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• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共46条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘广政 收藏  |  浏览/下载：497/0  |  提交时间：2016/06/03 GaAs/Si  GaAs/Ge  两步法  四步法  量子点  激光器   AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2016/06/01 AlN  AlGaN 基深紫外 LED  AlGaN 基紫外 Laser  AlN 纳米柱  半极性面纳米锥   Stretchable Graphene: A Close Look at Fundamental Parameters through Biaxial Straining 期刊论文  OAI收割 nano letters, 2010, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 3453-3458 Ding F (Ding Fei); Ji HX (Ji Hengxing); Chen YH (Chen Yonghai); Herklotz A (Herklotz Andreas); Dorr K (Doerr Kathrin); Mei YF (Mei Yongfeng); Rastelli A (Rastelli Armando); Schmidt OG (Schmidt Oliver G.) 收藏  |  浏览/下载：243/38  |  提交时间：2010/09/20 Graphene  strain engineering  Gruneisen parameters  Raman spectroscopy  piezoelectric actuator   Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: art. no. 074216 Zhang YX (Zhang Yun-Xiao); Liao ZY (Liao Zai-Yi); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Wang W (Wang Wei) 收藏  |  浏览/下载：256/39  |  提交时间：2010/08/17 electroabsorption modulator  intra-step quantum wells  uni-traveling-carrier RF-gain  WAVELENGTH CONVERSION  WAVE-GUIDE   A 10.7 mu m InGaAs/InAlAs Quantum Cascade Detector 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: article no.128503 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：38/2  |  提交时间：2011/07/05 WELL INFRARED PHOTODETECTORS   In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文  OAI收割 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 作者:  Hou QF;  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/09 ALGAN/GAN HEMTS   High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：77/1  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMTs  SiC  power