机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2003 [2]
• 2000 [2]
• 1999 [2]

学科主题

• 半导体材料 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Xu B;  Jin P;  Li CM;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  nanostructures  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diode  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359 Zhang MH; Han YJ; Zhang YH; Huang Q; Bao CL; Wang WX; Zhou JM; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 LT-GaAs  LT MQWs  defect  photoluminescence  electroabsorption  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  RECOMBINATION  DYNAMICS   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS   Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 556-559 Liu JP; Kong MY; Liu XF; Li JP; Huang DD; Li LX; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 strain relaxation  Si SiGe  interdiffusion  morphological evolution  QUANTUM DOTS  RELAXATION  INAS  STRANSKI-KRASTANOW GROWTH   Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文  OAI收割 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Liu JP; Kong MY; Liu XF; Li JP; Huang DD; Li LX; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 STRANSKI-KRASTANOW GROWTH  QUANTUM DOTS  RELAXATION  INAS