机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2012 [3]
• 2005 [2]

学科主题

• 光电子学 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110 Le, L.C; Zhao, D.G; Jiang, D.S; Zhang, S.M; Yang, H; Li, L; Wu, L.L; Chen, P; Liu, Z.S; Li, Z.C; Fan, Y.M; Zhu, J.J; Wang, H 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/19 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 25, 页码: 252110 Le, L.C; Zhao, D.G; Jiang, D.S; Zhang, S.M; Yang, H; Li, L; Wu, L.L; Chen, P; Liu, Z.S; Li, Z.C; Fan, Y.M; Zhu, J.J; Wang, H 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/19 Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 2012, 卷号: 101, 101, 期号: 25, 页码: 252110, 252110 作者:  Le LC (Le, L. C.);  Zhao DG (Zhao, D. G.);  Jiang DS (Jiang, D. S.);  Zhang SM (Zhang, S. M.);  Yang H (Yang, H.)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/03/20 An improvement on Si-etching tetramethyl ammonium hydroxide solution 期刊论文  OAI收割 chinese journal of chemical engineering, 2005, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 48-50 作者:  Li YT 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/17 silicon   Research progresses of SOI optical waveguide devices and integrated optical switch matrix 期刊论文  OAI收割 science in china series f-information sciences, 2005, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: 234-246 Yu JZ; Chen SW; Xia JS; Wang ZT; Fan ZC; Li YP; Liu JW; Yang D; Chen YY 收藏  |  浏览/下载：54/23  |  提交时间：2010/03/17 SOI (silicon-on-insulator)