机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2017 [1]
• 2011 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low temperature one-step growth of AlON thin films with homogenous nitrogen doping profile by plasma enhanced atomic layer deposition 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 44, 页码: 38662-38669 作者:  Hong-Yan Chen;  Hong-Liang Lu;  Jin-Xin Chen;  Feng Zhang;  Xin-Ming Ji 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/06/15 Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：53/4  |  提交时间：2011/07/07 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  AlGaN alloys   Variation of Optical Quenching of Photoconductivity with Resistivity in Unintentional Doped GaN 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057104 Hou QF (Hou Qi-Feng); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Xiao; HL (Xiao Hong-Ling); Wang CM (Wang Cui-Mei); Yang CB (Yang Cui-Bai); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：255/64  |  提交时间：2010/05/24 N-TYPE GAN  DEEP LEVELS  SELENIDE  DEFECTS