机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2015 [1]
• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [1]

学科主题

• 半导体物理 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Coupling and single-photon purity of a quantum dot-cavity system studied using hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 1, 页码: 014304 P. Y. Zhou; X. F. Wu; K. Ding; X. M. Dou; G. W. Zha; H. Q. Ni; Z. C. Niu; H. J. Zhu; D. S. Jiang; C. L. Zhao; B. Q. Sun 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/03/29 Ferromagnetic Interfacial Interaction and the Proximity Effect in a Co2FeAl/(Ga,Mn)As Bilayer 期刊论文  OAI收割 physical review letters, Physical Review Letters, 2013, 2013, 卷号: 111, 111, 期号: 2, 页码: 027203, 027203 作者:  Nie, S. H.;  Chin, Y. Y.;  Liu, W. Q.;  Tung, J. C.;  Lu, J.   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/03/26 Robust optical emission polarization in MoS2 monolayers through selective valley excitation 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2012, 2012, 卷号: 86, 86, 期号: 8, 页码: 081301, 081301 作者:  Sallen G (Sallen, G.);  Bouet L (Bouet, L.);  Marie X (Marie, X.);  Wang G (Wang, G.);  Zhu CR (Zhu, C. R.)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/04/02 The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of optics, JOURNAL OF OPTICS, 2010, 2010, 卷号: 12, 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203, Art. No. 055203 作者:  Huang X (Huang X.);  Zhang XH (Zhang X. H.);  Zhu YG (Zhu Y. G.);  Li T (Li T.);  Han LF (Han L. F.)   |  收藏  |  浏览/下载：79/6  |  提交时间：2010/08/17 InAs quantum dots  Inas Quantum Dots  Nonlinear Refraction  Reflection Z-scan  Dc Electric Field Effect  Electrooptic Properties  Saturable Absorber  Optical-properties  Well Structures  Single-beam  Band-gap  Electroabsorption  Absorption  Reflection  Dependence  nonlinear refraction  reflection Z-scan  dc electric field effect  ELECTROOPTIC PROPERTIES  SATURABLE ABSORBER  OPTICAL-PROPERTIES  WELL STRUCTURES  SINGLE-BEAM  BAND-GAP  ELECTROABSORPTION  ABSORPTION  REFLECTION  DEPENDENCE   The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104 Zhu, JH (Zhu, J. H.); Wang, LJ (Wang, L. J.); Zhang, SM (Zhang, S. M.); Wang, H (Wang, H.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Liu, ZS (Liu, Z. S.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Qiu, YX (Qiu, Y. X.); Yang, H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：143/26  |  提交时间：2010/03/08 MULTIPLE-QUANTUM WELLS