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• 高能物理研究所 [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2010 [3]

学科主题

• Physics [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：Physics     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Different origins of the yellow luminescence in as-grown high-resistance GaN and unintentional-doped GaN films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 2, 页码: 23528 作者:  Xu, FJ;  Shen, B;  Lu, L;  Miao, ZL;  Song, J 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/06/29 gallium compounds  III-V semiconductors  MOCVD  photoluminescence  positron annihilation  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors   Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: 151904 作者:  Yang, AL;  Song, HP;  Liang, DC;  Wei, HY;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2016/06/29 alloying  annealing  electrical conductivity  excitons  II-VI semiconductors  magnesium compounds  MOCVD coatings  photoluminescence  positron annihilation  semiconductor thin films  vacancies (crystal)  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 57802 作者:  Zhao, DG;  Zhang, S;  Liu, WB;  Hao, XP;  Jiang, DS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/29 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector