机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2009 [3]
• 2001 [1]
• 2000 [4]
• 1994 [1]

学科主题

• 半导体物理 [9]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 16, 页码: art.no.161110 Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Cai LE (Cai Li-E); Zhang BP (Zhang Bao-Ping); Hu XL (Hu Xiao-Long); Jiang F (Jiang Fang); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：142/33  |  提交时间：2010/03/08 Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：161/57  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN heterostructure  Superlattices (SLs)  Root mean square roughness (RMS)  Sheet resistance   Structural and Magnetic Properties of Sm Implanted GaN 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 077502 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：59/1  |  提交时间：2010/03/08 Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：85/5  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER RELAXATION  EMISSION   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS ISLANDS  INP(001)  GROWTH  GAAS  SEMICONDUCTORS  THICKNESS  LASERS  INGAAS  SIZE   Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3) 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH  EMISSION  LASERS  ENERGY   Anomalous temperature dependence of photoluminescence from InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 5, 页码: 2529-2532 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 WELLS  (IN  GA)AS/GAAS   THE EFFECT OF PASSIVATION OF BORON DOPANTS BY HYDROGEN IN NANO-CRYSTALLINE AND MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 1994, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 713-718 JIANG XL; HE YL; ZHU HL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15