机构

• 半导体研究所 [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2008 [4]

学科主题

• 半导体器件 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2009/06/11 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅 收藏  |  浏览/下载：269/83  |  提交时间：2009/06/11 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 收藏  |  浏览/下载：385/153  |  提交时间：2009/06/11 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 收藏  |  浏览/下载：275/43  |  提交时间：2009/06/11 MOCVD设备的石墨托盘 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2016/08/30 一种LED外延片的切裂方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/08/30 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2014, 2014 作者:  王文军;  李晋闽;  王军喜;  马平;  纪攀峰   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2014/11/05 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22, 2014-01-22 作者:  纪攀峰;  马平;  王军喜;  胡强;  冉军学   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/11/05 优化配置的多腔室MOCVD反应系统 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-05, 2014-02-05 作者:  纪攀峰;  马平;  王军喜;  胡强;  冉军学   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/11/05