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• 微电子研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

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• 期刊论文 [2]

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• 2018 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2018 作者:  Xue HW(薛惠文);  Dong H(董航);  Mu WX(穆文祥);  Hu Y(胡媛);  He QM(何启鸣)   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/04/18 Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  He QM(何启鸣);  Mu WX(穆文祥);  Fu B(付博);  Jia ZT(贾志泰);  Long SB(龙世兵)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/18