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• 微电子研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

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• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2018 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文  OAI收割 Chinese physics B, 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Wang HB(王海滨);  Ji LL(季兰龙)   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/04/12 Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge 期刊论文  OAI收割 CHIN. PHYS. LETT., 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xu YN(徐彦楠);  Li B(李博);  Xi K(习凯);  Wang HB(王海滨)   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/12