机构

• 半导体研究所 [19]

采集方式

• OAI收割 [19]

内容类型

• 期刊论文 [16]
• 专利 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2005 [3]
• 2004 [3]
• 2003 [2]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [14]
• 光电子学 [2]
• 半导体器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 室温铁磁性Al2O3∶Mn的制备及性质 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2390-2395 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 低能碳离子束沉积（111）织构的立方SiC薄膜 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2385-2389 作者:  张兴旺;  杨少延 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究 期刊论文  OAI收割 材料导报, 2005, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 109-111 李庚伟; 吴正龙; 邵素珍; 张建辉; 刘志凯 收藏  |  浏览/下载：166/1  |  提交时间：2010/11/23 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 期刊论文  OAI收割 稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 558-562 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 429-431 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 收藏  |  浏览/下载：57/16  |  提交时间：2009/06/11 组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 陈诺夫; 张富强; 杨君玲; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 收藏  |  浏览/下载：45/9  |  提交时间：2009/06/11 二元高－k材料研究进展及制备 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2002, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 462-464 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23